在后摩尔时代与 AI 算力需求爆发的双重驱动下，半导体与光电子技术的融合创新成为产业发展的核心命题，从新材料研发、核心器件突破到先进封装落地、测试技术升级，产业链各环节的协同联动愈发关键。
近日，由半导体行业观察与慕尼黑上海光博会联合主办的《产业协同 通信升级——从器件到网络的协同创新论坛》成功举办，论坛汇聚了半导体与光电子领域的顶尖专家、企业领袖与行业同仁，围绕材料、器件、封装、测试、系统应用等全产业链核心议题展开深度探讨，分享了前沿技术成果与产业发展洞察，全方位解析半导体与光电子产业的发展机遇与实践路径，为产业高质量发展注入新思路、新方向。
后摩尔时代，二维半导体的机会与挑战
在论坛主旨演讲环节，复旦大学博士后猴赛飞为我们带来了《二维半导体在未来延续摩尔定律路线中的机会和挑战》的主题演讲，从技术特性、产业布局、发展瓶颈与突破路径等方面，深入解析了二维半导体作为后摩尔时代核心技术的发展潜力与产业化关键。
复旦大学博士后猴赛飞
猴赛飞指出，摩尔定律逼近物理极限的当下，二维半导体是兼具半导体性质、原子级厚度且能与集成电路工艺兼容的核心材料，相较硅基半导体具备显著优势，可大幅降低先进制程的难度与成本。
从产业共识来看，二维半导体已成为全球公认的摩尔定律终极路线，台积电、英特尔、三星等国际巨头及 IMEC、IRDS 等研究机构均明确布局，研判其将在 1nm 节点后作为增强组件融入异质集成系统，2029 年有望实现超低功耗应用落地，目前该技术已完成从“性能验证”向“良率与可靠性优化”的决定性转型，处于从实验室到产线突破的战略窗口期。
国内在二维半导体领域的基础研究成果显著，以上海为核心的科研力量表现突出，北京科技大学、上海交通大学、复旦大学等高校及科研院所在材料制备、器件集成、工艺优化等方面接连取得国际顶刊成果。同时，二维半导体还获得国家及地方政策持续加码。
在技术落地与产业化进程中，原集微作为“复旦系”企业走在前列。据悉，今年 1 月 6 日，原集微首条二维半导体工程化示范工艺线点亮仪式在上海浦东川沙举行。这是国内首条二维半导体工程化示范工艺线。
据原集微科技创始人包文中在点亮仪式中表示，其首条二维半导体工程化示范工艺线预计将于今年 6 月正式通线；同时预计将于今年 9 月实现等效硅基 90nm CMOS 制程小批量生产 Mb 级存储器和百万门级逻辑电路。据了解，原集微此前已成功推出首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极”，实现从材料、架构到流片的全链条自主研发。按照其规划，到 2029 年，有望实现全球首款二维材料芯片的量产，用于低功耗边缘算力等场景。
猴赛飞表示，二维半导体作为后摩尔时代的核心技术方向，其材料与工艺的创新突破将成为延续摩尔定律的关键，随着政策支持加码、科研成果持续转化、产业链协同推进，未来有望在 1nm 及更先进制程节点实现规模化应用，为半导体产业的持续升级注入新动能。
硅光异质集成技术，赋能高速 AI 光连接爆发
国科光芯（海宁）科技股份有限公司董事长刘敬伟在论坛中带来《硅光赋能高速 AI 光连接》主题分享，深入解析了硅光技术在 AI 互连领域的产业化路径与技术突破。
国科光芯（海宁）科技股份有限公司董事长刘敬伟
刘敬伟指出，AI 集群算力扩张催生了 Scale out（横向拓展）与 Scale up（纵向拓展）两类互连架构需求，直接驱动硅光市场进入爆发前夜。数据显示，2026-2028 年，800G/1.6T/3.2T 光模块需求将持续攀升，其中 1.6T 产品 2028 年市场规模预计将达到 45 亿美元，硅光芯片在数据中心等场景的收入年复合增长率将超 45%。
技术层面，硅光异质集成成为核心突破方向，通过融合 Si、SiN、TFLN、InP 等多种材料，解决了传统硅光的光源、调制、探测等关键难题，如 Intel 片上 InP 激光器实现 80 ℃下 60mW 输出功率，TFLN-Si 异质集成调制器带宽已突破 120GHz。
面对产业化挑战，国科光芯已建立国内首个 8 英寸低损耗（0.1dB/cm）氮化硅量产平台，工艺良率超 95%，形成硅光与 TFLN 异质集成两大产品体系，实现 400G/800G/1.6T Si/SiN 及 TFLN/SiN Tx-PIC 芯片量产，核心产品覆盖高速光通信、光传感等领域，激光雷达年出货量超 100 万台，为 AI 光连接提供高可靠、低成本的解决方案。
展望未来，刘敬伟表示，公司将持续深耕异质集成技术，助力产业突破传输瓶颈，抢占高速 AI 光连接市场先机。
为算力爆发疏通“最后一英寸”能源瓶颈
上海朗矽科技有限公司总经理汪大祥以《为高频与高可靠而生：硅电容在 AI 应用及光模块中的技术优势》为主题，阐述了硅电容在算力爆发时代的核心价值与应用突破。
上海朗矽科技有限公司总经理汪大祥
汪大祥表示，AI 芯片功率密度已突破 1000W，机柜功率密度达 500kW，低压大电流带来的电源完整性挑战日益凸显，传统 MLCC 电容在 ESL/ESR、温度稳定性等方面难以满足需求。
而硅电容凭借 pH 级 ESL、m Ω 级 ESR、-55~200 ℃宽温工作等核心优势，成为破解“最后一英寸”能源危机的关键：相比 MLCC，其温度稳定性提升 30 倍，无直流偏置降容问题，寿命长达 50 年，且可超薄嵌入封装，厚度低至 50 μ m，支持嵌入封装。
在应用场景中，硅电容构建了从片上（eDTC）、封装级（DTC）到基板内埋的三级去耦架构，适配 CoWoS、EMIB 等先进封装技术，在 AI 芯片 PDN 去耦、IVR 集成中实现 ns 级瞬态响应；在 800G/1.6T 光模块中，其 220GHz 超宽带特性与
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